Samsung produksi chip 3nm pertama dengan GAAFET

Samsung Foundry dilaporkan memasuki tahap awal produksi chip semikonduktor 3nm di pabrik Hwaseong, Korea Selatan. Tidak seperti chip generasi sebelumnya yang menggunakan FinFET, chip sekarang menggunakan arsitektur transistor GAA (Gate All Around), yang secara signifikan meningkatkan efisiensi daya.

Arsitektur GAA MBCFFET (Multi-Bridge-Channel FET) diklaim memberikan efisiensi daya lebih tinggi pada chip 3nm Samsung, dengan mengurangi tegangan suplay dan meningkatkan arus penggerak. 

Selain itu, perusahaan juga mengusung transistor nanosheet dalam chip ini. Dibanding teknologi nanowire, nanosheet dengan saluran yang lebih lebar memungkinkan kinerja yang yang lebih tinggi dan efisiensi yang lebih baik. Dengan menyesuaikan lebar nanosheet, klien Samsung dapat menyesuaikan penggunaan daya dan kinerja sesuai kebutuhan mereka.

Jika dibandingkan dengan chip 5nm, chip 3nm menerima peningkatan kinerja 23%, 45% lebih rendah dalam penggunaan daya dan pengurangan area 16%. Sementara itu, chip menawarkan efisiensi daya 50% lebih baik dan kinerja 30% lebih baik.

Untuk membantu klien dan mitra chipnya merancang chip yang lebih baik dan memverifikasi desain, Samsung Foundry menyediakan lingkungan desain yang stabil. Klien dapat mengurangi waktu yang diperlukan untuk merancang chip, proses verifikasi dan sign-off, dan meningkatkan keandalan produk melalui mitra SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), termasuk Ansys, Cadence, Siemens, dan Synopsys.

"Kami berusaha untuk melanjutkan kepemimpinan ini dengan proses 3nm pertama di dunia dengan MBCFETTM. Kami akan melanjutkan inovasi aktif dalam pengembangan teknologi yang kompetitif dan membangun proses yang membantu mempercepat pencapaian kematangan teknologi,” kata Dr. Siyoung Choi, President and Head of Foundry Business di Samsung Electronics, dikutip dari SamMobile (30/6).