Samsung mulai produksi DRAM DDR5 berbasis 12 nm EUV

Samsung baru-baru ini mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal DRAM DDR5 16-gigabit (Gb). Perangkat keras ini dikatakan memanfaatkan teknologi proses kelas 12 nanometer (nm) pertama di industri. Pencapaian tersebut muncul setelah pengumuman awal dilakukan pada bulan Desember tahun lalu.

Proses produksi tersebut menggabungkan litografi ultra-ultraviolet ekstrim (EUV) multi-layer canggih, yang diklaim menghasilkan kepadatan cetakan tertinggi di industri. Dengan demikian, teknologi ini menghasilkan peningkatan 20% dalam produktivitas wafer.

Selain itu, DRAM DDR5 ini menunjukkan pengurangan konsumsi daya yang cukup besar hingga 23% jika dibandingkan dengan generasi sebelumnya. Samsung menegaskan bahwa ini membuat solusi mereka sangat cocok untuk perusahaan IT global yang bertujuan untuk meningkatkan operasi ramah lingkungan.

Pemanfaatan bahan high-k baru berkontribusi pada peningkatan kapasitansi sel. Peningkatan kapasitansi menghasilkan perbedaan potensial listrik yang signifikan dalam sinyal data, memfasilitasi diferensiasi yang lebih akurat di antara keduanya.

Dilansir dari Gizmochina (19/5), DRAM DDR5 memberikan kecepatan 7,2 gigabit per detik (Gbps). Singkatnya, ini dapat memproses dua film ultra-high-definition 30-gigabyte (GB) hanya dalam satu detik. Kecepatan luar biasa ini memposisikan teknologi untuk mendukung rangkaian aplikasi yang berkembang, termasuk data center, kecerdasan buatan (AI), dan komputasi generasi berikutnya.

Samsung menyelesaikan evaluasi DRAM DDR5 16-gigabit untuk kompatibilitas dengan AMD pada bulan Desember tahun lalu dan terus berkolaborasi dengan perusahaan IT global untuk mendorong inovasi di pasar DRAM generasi baru.