Samsung siapkan teknologi fabrikasi 3nm

TSMC saat ini menjadi salah satu perusahaan semikonduktor yang tengah fokus mengembangkan prosesor dengan proses fabrikasi terbaru. Saat ini, mereka dikabarkan tengah mempersiapkan fabrikasi 3nm dan meluncurkan prosesor fabrikasi 5nm tahun depan.

Ternyata, bukan mereka saja yang fokus pada proses fabrikasi baru. Samsung juga ternyata sudah mempersiapkan teknologi yang sama. Wccftech (16/5/2019) melaporkan, mereka sudah siap memproduksi teknologi fabrikasi FinFET 5nm dan mengembangkan teknologi fabrikasi GAAFET 3nm, yang akan bernama Multi-Bridge-Channel-FET (MBCFET).

Hal ini diumumkan oleh perusahaan asal Korea Selatan tersebut dalam acara Samsung Foundry Forum di Santa Clara. Mereka mengumumkan pengembangan teknologi yang mereka sebut sebagai pengembangan GAA 3nm, atau dijuluki sebagai 3GAE .

Samsung melakukan pengembangan dengan menggunakan Gate-All-Around (GAAFET) bersama IBM. Tapi, seperti yang sudah disebutkan di atas, Samsung dan IBM menyebut teknologi ini sebagai MBCFET.

Berbeda dengan desain tradisional FinFET, GAAFET memungkinkan material gerbang mengelilingi saluran dari semua sisi. Samsung mengklaim bahwa desain MBCFET akan meningkatkan perilaku proses aktif-nonaktif dan memungkinkan prosesor mengurangi tegangan operasional di bawah 0,75V.