Samsung HBM2 “Aquabolt” sentuh 2,4 Gbps

Samsung tampaknya sudah memulai produksi memori HBM2 generasi kedua yang diberi nama “Aquabolt”. Kemampuan memori baru ini diklaim memiliki kapasitas 8 GB dengan kecepatan transfer data hingga 2,4 Gbps per pin.

Sebelumnya Samsung harus mengandalkan teknologi desain TSV dan kontrol thermal untuk mendapatkan kecepatan baru tersebut. Dari perolehan kecepatan hingga 2,4 Gbps per pin, memori HBM2 Aquabolt cocok digunakan konsumen yang memiliki HPC, komputer dengan AI dan solusi grafis.

Arsitektur pada Samsung 8 GB HBM2 Aquabolt sebenarnya menyerupai arsitektur pada Flarebolt. Pada Flarebolt, tiap KGSD (known good stacked die) terdiri dari 8 IC yang terhubung via TSV dalam konfigurasi 8-Hi stack. Tiap KGSD memiliki bus 1024 bit dengan Bandwith Per Pin 2,4 Gbps sehingga mampu menghasilkan Bandwith per stack sampai 307,1 Gbps.

Dari memori sebelumnya Samsung memerlukan voltase 1,35 V untuk mendapatkan kecepatan bandwith sampai 2 Gbps. Pada memori baru ini Samsung berhasil mendapatkan peningkatan bandwith, namun dengan voltase yang jauh lebih rendah yakni 1,20 V.

Samsung HBM2 akan mulai dikirimkan pada beberapa bulan mendatang dan tampaknya akan berbarengan dengan memori milik SK Hynix yang juga memiliki kecepatan2,4 Gbps.