Intel semakin dekat produksi chipset dengan teknologi Intel 18A

Intel semakin menunjukkan kemajuan dalam pengembangan proses manufaktur chip melalui teknologi Intel 18A, yang kini dilaporkan memiliki kepadatan SRAM setara dengan proses N2 milik TSMC. Ini merupakan pencapaian signifikan bagi Intel Foundry Services (IFS) dan ambisi Intel dalam merebut kembali keunggulan di industri semikonduktor.

Menurut laporan terbaru yang dibagikan dalam sesi ISSCC, perbedaan antara Intel dan TSMC dalam kepadatan SRAM kini telah menyempit secara signifikan. Hal ini menunjukkan bahwa Intel mulai kembali bersaing dengan TSMC, yang selama ini mendominasi pasar manufaktur chip.

Salah satu inovasi paling penting dalam Intel 18A adalah penerapan Backside Power Delivery Network (BSPDN). Teknologi ini memindahkan jaringan distribusi daya ke bagian belakang wafer, sehingga meningkatkan efisiensi daya dan integritas sinyal secara signifikan. 

Dilansir dari laman Wccftech (21/2), hal ini merupakan salah satu implementasi pertama di industri dan bisa menjadi keunggulan kompetitif utama bagi Intel.

Dalam laporan terbaru, versi kepadatan tinggi Intel 18A mencatat kepadatan bit makro sebesar 38,1 Mb/mm², meskipun dengan konfigurasi array yang besar. Sementara kepadatan ini bisa bervariasi tergantung pada desain spesifik, hasil ini memberikan gambaran optimis terhadap potensi proses 18A.