IBM dan Samsung umumkan teknologi fabrikasi sub 1nm
Dalam sebuah pengumuman terbaru, IBM dan Samsung mengatakan memiliki desain untuk teknologi fabrikasi 1nm yang bernama VTFET.
Salah satu cara untuk membuat produksi sebuah prosesor lebih bertenaga dan irit daya adalah dengan membuat luas penampang mereka sekecil mungkin. Hal ini memang dapat dilakukan terus menerus, sampai adanya batasan seberapa kecil para produsen bisa membuat cetakan penampang agar sebuah prosesor dapat berjalan tanpa kendala.
Hingga saat ini, beberapa produsen sudah hampir selesai mengembangkan teknologi fabrikasi 3nm, seperti TSMC dan Samsung. Tapi, tanpa diketahui, beberapa perusahaan sudah mulai menguji desain cetakan chipset sub 1mm.
Adalah IBM dan Samsung, yang mengklaim telah membuat terobosan dalam desain semikonduktor. Dalam konferensi IEDM di San Francisco, kedua perusahaan meluncurkan desain baru untuk menumpuk transistor secara vertikal pada chip.
Dengan prosesor dan SoC saat ini, transistor berbaring datar di permukaan silikon, dan kemudian arus listrik mengalir dari sisi ke sisi. Sebaliknya, Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) duduk tegak lurus satu sama lain dan arus mengalir secara vertikal.
Dilansir dari Engadget (12/12), IBM dan Samsung mengatakan bahwa desain ini memiliki dua keunggulan. Pertama, ini akan memungkinkan mereka untuk melewati banyak batasan kinerja untuk memperpanjang Hukum Moore di luar ambang batas 1nm.