TSMC akan produksi chip 2nm di tahun 2023

TSMC dilaporkan berhasil mengembangkan chip 2nm dengan proses GAA-FET. Ini menjadi chip mobile dengan ukuran paling kecil yang ada saat ini. TSMC dikabarkan akan siap memproduksi chip baru ini dalam dua tahun ke depan. 

Laporan dari Tiongkok mengindikasikan bahwa TSMC akan memilih GAA-FET untuk menggantikan proses Fin-FET yang selama ini digunakan. Alasannya, untuk mengatasi kekurangan proses Fin-FET yang terjadi di chip 3nm.

Sebagaimana diketahui, 2nm merujuk pada jarak antar transistor pada sebuah chip. Semakin kecil jaraknya, konsumsi daya yang dibutuhkan juga semakin efisien. Jika memang benar bahwa TSMC siap untuk memproduksi pada 2023, maka perusahaan ini akan semakin tidak dapat dihentikan. Pasalnya, Samsung yang menjadi saingan TSMC, sampai saat ini masih berusaha untuk membuat chip 3nm. 

Lantas apa yang dimaksud dengan GAA-FET?

GAA merupakan singkatan dari Gate-all-around. Desainnya sebenarnya mirip dengan Fin-FET. Namun pada GAA, setiap channel akan diberikan “gerbang”. Hal ini dipandang akan memberikan keuntungan ketimbang model Fin-FET.

Untuk diketahui, chip 3nm dengan Fin-FET dilaporkan mengalami kendala di manajemen suhunya. Pengurangan ketebalan pada chip yang lebih kecil tampaknya menyebabkan masalah seperti mobilitas elektron yang lebih rendah dan kebocoran arus. 

Nah, GAA-FET diklaim memiliki keunggulan di kontrol kelistrikan dan memiliki tingkat kebocoran yang lebih rendah. Hal ini disebut karena adanya “gerbang” yang mengelilingi setiap saluran di semua sisinya. Hal ini sebenarnya tidak lepas dari pusat litbang yang didirikan di Taiwan, khusus untuk mengembangkan chip 2nm tersebut. 

Chip 5nm TSMC saat ini bahkan sudah digunakan untuk Snapdragon 875. Chip ini dikatakan membawa terobosan baru dengan kombinasi 1+3+4 dimana salah satunya menggunakan Super-core Cortex X1 yang diklaim memiliki peningkatan performa sebesar 30% jika dibandingkan dengan A77.