sun
moon
Premium Partner :
  • partner tek.id acer
  • partner tek.id praxis
  • partner tek.id advo
  • partner tek.id oppo
  • partner tek.id asus
  • partner tek.id qnap
  • partner tek.id wd
  • partner tek.id synologi
  • partner tek.id benq
Jumat, 25 Sep 2020 11:30 WIB

TSMC akan mulai produksi chipset 2nm pada 2024

Dalam sebuah kabar terbaru, TSMC sudah memutuskan menggunakan teknik MBCFET untuk membuat chipset 2nm.

TSMC akan mulai produksi chipset 2nm pada 2024
TSMC

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) baru-baru ini dikabarkan telah memutuskan teknologi mana yang akan mereka gunakan untuk memproduksi chipset dengan teknologi fabrikasi 2nm.

Wccftech (25/9) melaporkan, saat ini TSMC mengatakan bahwa mereka berharap akan dapat memasuki uji coba produksi proses ini pada pertengahan 2023 dan memulai produksi massal setahun kemudian.

Seperti diketahui, saat ini TSMC sudah dapat membuat chipset dengan teknologi fabrikasi 5nm untuk Apple. Mereka pun diharapkan akan segera menyelesaikan pembuatan chipset 5nm lainnya pada akhir tahun lain untuk vendor lainnya.

Berbeda dengan 'FinFET' (Fin Field Effect Transistor), yang merupakan istilah yang digunakan untuk mendeskripsikan desain transistor pada produk yang dibuat oleh TSMC dan chaebol Samsung Electronic's Samsung Foundry arm Korea Selatan, proses 2nm TSMC akan menggunakan desain transistor yang berbeda.

Desain ini disebut sebagai transistor Multi-Bridge Channel Field Effect (MBCFET) dan ditambahkan ke desain FinFET sebelumnya. Desain FinFET melibatkan tiga elemen penting. Ini adalah sumber, gerbang, dan saluran pembuangan, dengan elektron berjalan dari sumber ke gerbang yang mengatur aliran listrik.

Pendekatan inovatif FinFET mengangkat sumber dan saluran pembuangan dalam dimensi ketiga yaitu secara vertikal, dan sebagai hasilnya, ini memungkinkan lebih banyak elektron melewati gerbang, mengurangi kebocoran dan mengurangi tegangan operasi.

Keputusan TSMC untuk menggunakan desain MBCFET untuk transistornya bukanlah pertama kalinya. Samsung mengumumkan desain untuk proses manufaktur 3nm pada bulan April tahun lalu, dan desain MBCFET perusahaan merupakan evolusi dari transistor GAAFET yang dikembangkan dan diperkenalkan bersama dengan IBM pada tahun 2017.

MBCFET Samsung, sebagai lawan GAAFET-nya, menggunakan lembar nano untuk sumber dan saluran, dengan yang pertama menggunakan kawat nano sebagai gantinya. Ini meningkatkan luas permukaan yang tersedia untuk konduksi dan yang lebih penting, memungkinkan perancang untuk menambahkan lebih banyak gerbang ke transistor tanpa meningkatkan luas permukaan lateral.

Hingga saat ini masih belum ada pernyataan resmi dari pihak TSMC terkait dengan berita tersebut.

Share
×
tekid
back to top